Продукты

Чип фотодиода InGaAs 300 мкм
  • Чип фотодиода InGaAs 300 мкмЧип фотодиода InGaAs 300 мкм

Чип фотодиода InGaAs 300 мкм

Чип фотодиода InGaAs 300 мкм обеспечивает превосходный отклик в диапазоне от 900 до 1700 нм, что идеально подходит для телекоммуникаций и обнаружения в ближнем ИК-диапазоне. Фотодиод идеально подходит для приложений с высокой пропускной способностью и активного выравнивания.

Отправить запрос

Описание продукта

1. Краткое описание фотодиодного чипа InGaAs 300 мкм

Чип фотодиода InGaAs 300 мкм обеспечивает превосходный отклик в диапазоне от 900 до 1700 нм, что идеально подходит для телекоммуникаций и обнаружения в ближнем ИК-диапазоне. Фотодиод идеально подходит для приложений с высокой пропускной способностью и активного выравнивания.

2. Внедрение чипа фотодиода InGaAs 300 мкм

Чип фотодиода InGaAs 300 мкм обеспечивает превосходный отклик в диапазоне от 900 до 1700 нм, что идеально подходит для телекоммуникаций и обнаружения в ближнем ИК-диапазоне. Фотодиод идеально подходит для приложений с высокой пропускной способностью и активного выравнивания.

3. Особенности чипа фотодиода InGaAs 300 мкм

Диапазон обнаружения 900нм-1650нм;

Высокоскоростной;

Высокая отзывчивость;

Низкая емкость;

Низкий темновой ток;

Плоская структура с подсветкой сверху.

4. Применение чипа фотодиода InGaAs 300 мкм

Мониторинг;

Волоконно-оптические инструменты;

Передача данных.

5. Абсолютные максимальные характеристики чипа фотодиода InGaAs 300 мкм

Параметр Символ Стоимость Единица измерения
Обратное напряжение ВРмакс. 20 V
Прямой ток - 10 мА
Рабочая Температура Топр от -40 до +85
Температура хранения ЦТГ от -55 до +125

6. Электрооптические характеристики (T=25°) чипа фотодиода InGaAs 300 мкм

Параметр Символ Условие Мин. Тип. Максимум. Единица измерения
Диапазон длин волн λ   900 - 1650 нм
Отзывчивость R λ =1310нм 0.85 0.90 - А/В
О» =1550нм - 0.95 -
λ =850нм - 0.20 -
Темный ток Я БЫ Вр=5В - 1.0 5.0 нА
Емкость C ВР=5В, f=1МГц - 4.2 6.0 ПФ
Полоса пропускания чб 3дБ вниз, RL=50Ом - 1.8 - ГГц

7. Размерный параметр чипа фотодиода InGaAs 300 мкм

Параметр Символ Стоимость Единица измерения
Диаметр активной области D 300 гм
Диаметр связующей площадки - 80 гм
Размер штампа - 420x420 гм
Толщина штампа t 180±20 гм

8. Доставка, доставка и обслуживание фотодиодного чипа InGaAs 300 мкм.

Все продукты были протестированы перед отправкой;

Все продукты имеют гарантию 1-3 года. (После истечения гарантийного срока начала взиматься соответствующая плата за техническое обслуживание.)

Мы ценим ваш бизнес и предлагаем мгновенный возврат в течение 7 дней. (7 дней после получения товара);

Если товары, которые вы покупаете в нашем магазине, не имеют идеального качества, то есть они не работают в электронном виде в соответствии со спецификациями производителя, просто верните их нам для замены или возврата денег;

Если товар неисправен, пожалуйста, сообщите нам в течение 3 дней с момента доставки;

Любые предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы иметь право на возмещение или замену;

Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.

8. Часто задаваемые вопросы

В: Какую активную область вы бы хотели?

О: у нас есть 0,3 мм 0,5 мм 1 мм 2 мм активная область фотодиодного чипа InGaAs.

В: Каковы требования к разъему?

A: Box Optronics может настроить в соответствии с вашими требованиями.

Горячие Теги: 300um InGaAs Photodiode Chip, Производители, Поставщики, Оптовая торговля, Фабрика, Индивидуальные, Оптом, Китай, Сделано в Китае, Дешево, Низкая цена, Качество
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept