Продукты

Полупроводниковый лазерный диод 940 нм 20 Вт

Полупроводниковый лазерный диод мощностью 20 Вт с длиной волны 940 нм был разработан для применения в накачке, медицине или обработке материалов. Этот диодный лазер был разработан для обеспечения очень высокой выходной мощности для рынка волоконных лазеров и для прямых производителей систем с более компактной конфигурацией накачки. Доступны различные выходные мощности. Пользовательские длины волн и конфигурации доступны по запросу.

Отправить запрос

Описание продукта

1. Краткое описание полупроводникового лазерного диода 940 нм мощностью 20 Вт

Полупроводниковый лазерный диод мощностью 20 Вт с длиной волны 940 нм был разработан для применения в накачке, медицине или обработке материалов. Этот диодный лазер был разработан для обеспечения очень высокой выходной мощности для рынка волоконных лазеров и для прямых производителей систем с более компактной конфигурацией накачки. Доступны различные выходные мощности. Пользовательские длины волн и конфигурации доступны по запросу.

2. Внедрение полупроводникового лазерного диода 940 нм мощностью 20 Вт.

3. Характеристики полупроводникового лазерного диода 940 нм мощностью 20 Вт

длина волны 940 нм;

выходная мощность 20 Вт;

диаметр сердцевины волокна 105 мкм;

0,22 NA.

4. Применение полупроводникового лазерного диода 940 нм мощностью 20 Вт.

Лазерная накачка;

Медицинское использование;

Обработка материала.

5. Электрооптические характеристики (T=25°) полупроводникового лазерного диода 940 нм мощностью 20 Вт.

Параметр	Символ	Мин.	тип.	Макс.	Единица
Рабочая выходная мощность	дуться	20.0	-	-	W
Диапазон доступных длин волн	λ	930	940	950	нм
Спектральная ширина на полувысоте	ОО»	-	3.5	7.0	нм
Пороговый ток	Ит	-	0.5	0.9	A
Рабочий ток при Pвых	ВГД	-	12.0	13.0	A
Рабочее напряжение на Pвых.	ВОП	-	3.65	-	V
Эффективность преобразования энергии	-	-	45	-	%
Температурный коэффициент длины волны	ОО»/ОТ	-	0.3	-	нм/м²
Эффективность наклона	η	-	2.5	-	Вт/Д
Радиус изгиба волокна	r	37.5	-	-	мм
Диаметр сердцевины волокна	ДКОР	-	105/125	-	мкм/мкм
Диаметр буфера волокна	ДБУФ	-	250	-	мкм
Числовая апертура волокна	нет данных	-	0.22	-	-
Числовая апертура луча (мощность 95%)	Лф	-	0.17	-	нет данных
Длина волокна	Лф	-	1.5	-	m
Тип разъема	-	Нулевой или SMA905			-

6. Чертеж упаковки и определение PIN-OUT (единица измерения: мм) полупроводникового лазерного диода 940 нм 20 Вт.

7. Доставка, доставка и обслуживание полупроводникового лазерного диода 940 нм мощностью 20 Вт.

Все продукты были протестированы перед отправкой;

Все продукты имеют гарантию 1-3 года. (После истечения гарантийного срока начала взиматься соответствующая плата за техническое обслуживание.)

Мы ценим ваш бизнес и предлагаем мгновенный возврат в течение 7 дней. (7 дней после получения товара);

Если товары, которые вы покупаете в нашем магазине, не имеют идеального качества, то есть они не работают в электронном виде в соответствии со спецификациями производителя, просто верните их нам для замены или возврата денег;

Если товар неисправен, пожалуйста, сообщите нам в течение 3 дней с момента доставки;

Любые предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы иметь право на возмещение или замену;

Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.

8. Часто задаваемые вопросы

В: Какая длина волны вам нужна?

О: у нас есть лазерный диод 793 нм, 808 нм, 915 нм, 975 нм.

В: Каковы требования к выходной мощности?

О: Оптоэлектроника коробки может быть настроена в соответствии с вашими требованиями.

Горячие Теги: Полупроводниковый лазерный диод 940 нм 20 Вт, производители, поставщики, оптовая торговля, фабрика, индивидуальные, оптом, Китай, сделано в Китае, дешево, низкая цена, качество