Продукты

Чип 976нм 12 Вт на субмонтированном лазерном диоде COS

Микросхема 976 нм 12 Вт на лазерном диоде COS Submount, использующая соединение AuSn и пакет P Down с множеством преимуществ высокой надежности, стабильной выходной мощности, высокой мощности, высокой эффективности, длительного срока службы и высокой совместимости, и широко применяется на рынке. Подмонтируемый корпус лазерного диода требует правильной пайки радиатора.

Отправить запрос

Описание продукта

1. Краткое описание лазерного чипа LD COS мощностью 940 нм 12 Вт на субмаунте

Микросхема 976 нм 12 Вт на лазерном диоде COS Submount, использующая соединение AuSn и пакет P Down с множеством преимуществ высокой надежности, стабильной выходной мощности, высокой мощности, высокой эффективности, длительного срока службы и высокой совместимости, и широко применяется на рынке. Подмонтируемый корпус лазерного диода требует правильной пайки радиатора.

2. Внедрение лазерного чипа LD COS мощностью 940 нм, 12 Вт, на субмаунте.

3. Характеристики лазерного чипа LD COS мощностью 940 нм 12 Вт на субмаунте

Высокая эффективность преобразования;

Срок службы> 20000 ч;

Низкий темновой ток, низкая емкость;

Высокая надежность, длительный срок службы;

Индивидуальные продукты для клиентов.

4. Применение лазерного чипа LD COS мощностью 940 нм 12 Вт на субмаунте

Промышленность;

Источник насоса;

Освещение;

Медицинское лечение.

5. Электрооптические характеристики (T = 25â) лазерного чипа LD COS мощностью 940 нм 12 Вт на субмаунте

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Максимум.	Ед. изм
Операция
Центральная длина волны	IC	977	980	983	нм
Оптическая выходная мощность	По	-	12	-	W
Режим работы	-	CW			-
Модуляция мощности	-	-	100	-	%
Электрооптические данные
Расходимость быстрой оси (FWHM)	Î¸âŠ ¥	-	29	-	град
Медленное расхождение оси (FWHM)	Î¸â € -	-	9	-	град
Спектральная полоса пропускания (FWHM)	Î ”Î»	-	4	-	нм
Длина волны импульса	λ	968	971	974	нм
Наклонная эффективность	η	0.95	-	-	W / A
Эффективность преобразования	-	54	58	-	%
Пороговый ток	ITH	-	0.7	1	A
Рабочий ток	ВГД	-	13	14.5	A
Рабочее напряжение	VOP	-	1.65	1.85	V
Температурные характеристики (dÎ »/ dT)	-	-	0.35	-	нм / №
Поляризация	-	-	TE	-	-
LD Рабочая температура	-	-	25	-	℃
Геометрический
Ширина излучателя	W	-	95	-	мкм
Шаг эмиттера	P	390	400	410	мкм
Длина полости	L	3990	4000	4010	мкм
Толщина	D	110	130	150	мкм

6. Чертеж корпуса и определение вывода (единицы: мм) лазерного чипа LD COS мощностью 940 нм, 12 Вт, на вспомогательном креплении.

Примечание: на приведенном выше рисунке показана упаковка радиатора 4,5 * 4,5 * 0,5 (мм). Мы также можем предоставить упаковку радиатора 5,7 * 4,5 * 0,5 (мм).

7. Доставка, доставка и обслуживание лазерного чипа LD COS мощностью 940 нм, 12 Вт, на вспомогательном креплении.

Все продукты были протестированы перед отправкой;

Все продукты имеют гарантию 1-3 года. (После истечения срока гарантии качества начали взимать соответствующую плату за техническое обслуживание.)

Мы ценим ваш бизнес и предлагаем политику мгновенного возврата в течение 7 дней. (7 дней после получения товара);

Если товары, которые вы покупаете в нашем магазине, не идеального качества, то есть они не работают в электронном виде в соответствии со спецификациями производителя, просто верните их нам для замены или возврата денег;

Если товар неисправен, пожалуйста, сообщите нам в течение 3 дней с момента доставки;

Любые предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы претендовать на возврат или замену;

Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.

8. FAQ

В: Какую длину волны вы хотите?

A: У нас есть 808 нм 830 нм 880 нм 915 нм 940 нм 975 нм.

В: Какая выходная мощность вам нужна?

О: BoxOptronics можно настроить в соответствии с вашими требованиями.

Горячие Теги: 976нм 12Вт Чип на субмаунтовом лазерном диоде COS, производители, поставщики, оптовая торговля, фабрика, индивидуальные, массовые, Китай, сделано в Китае, дешево, низкая цена, качество