Лазерный диодный чип представляет собой лазер на основе полупроводников, который состоит из структуры P-N и питается по току. Пакет лазерного диода представляет собой полное устройство, которое собирается и упаковано вместе в герметизированном корпусе упаковки, чтобы сформировать лазерный чип полупроводника, который излучает когерентный свет, мониторинг фотодиодного чипа для управления обратной связью мощности, чип -датчика температуры для мониторинга температуры или оптическую линзу для лазерной коллимации.
Характеристики поляризации света являются описанием направления вибрации вектора электрического поля света. Всего существует пять поляризационных состояний: полностью неполяризованный свет, частично поляризованный свет, линейно поляризованный свет, эллиптически поляризованный свет и круглый поляризованный свет
Лазер насоса - это лазер, используемый для обеспечения источника света возбуждения для лазера волокна или волоконного усилителя. Длина волны излучения лазера насоса 980 нм составляет приблизительно 980 нанометров (нм).
Широкополосный свет ASE, генерируемый эрбий-легированным волокном, является амплифицированным спонтанным излучающим светом, генерируемым коротковолновым лазерным насосом, легированным эрбием, легированным эрбием волокном. Как показано на следующей диаграмме, перекачиваемый редкоземельный ионы переходит между верхним и нижним уровнями энергии, чтобы генерировать спонтанное излучение, которое усиливается в процессе стимулированного излучения. Этот процесс повторяется непрерывно, и даже довольно высокая выходная мощность может быть достигнута в достаточных условиях накачки. (ASE = амплифицированное спонтанное излучение, амплифицированный спонтанный излучение)
Для оптического волокна с поляризацией (PM), предполагая, что направление поляризации входного линейно поляризованного света находится в середине быстрой оси и медленной оси, его можно разложить на два компонента ортогональной поляризации. Как показано на рисунке ниже, две световые волны изначально имеют одинаковую фазу, но поскольку показатель преломления медленной оси больше, чем у быстрого оси, их разность фаз будет линейно увеличиваться с расстоянием распространения.
В зависимости от материала активной области, ширина разрыва полосы полупроводникового материала из полупроводникового лазера синего света варьируется, поэтому полупроводник лазер может излучать свет разных цветов. Активная область материала полупроводникового лазера синего света - это GAN или Ingan.
Copyright @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - Китайские оптоволоконные модули, производители лазеры из волокна, поставщики лазерных компонентов Все права защищены.
