BoxOptronics Компенсация дисперсии Сохранение поляризации Волокно, легированное эрбием, имеет конструкцию с высоким содержанием легирующих добавок и сохранением поляризации, в основном используемую для волоконных лазеров с длиной волны 1,5 мкм. Уникальная сердцевина волокна и конструкция профиля показателя преломления обеспечивают высокую нормальную дисперсию и превосходные характеристики сохранения поляризации. Волокно имеет более высокую концентрацию легирования, что позволяет уменьшить длину волокна, уменьшая тем самым влияние нелинейных эффектов. В то же время оптическое волокно демонстрирует низкие потери при сращивании и сильное сопротивление изгибу. Имеет хорошую консистенцию.
Волоконные усилители EDFA (EYDFA-HP) высокой мощности C-диапазона, легированные эрбием, мощностью 3 Вт, 35 дБм, основаны на технологии усилителей с двойной оболочкой, легированных эрбием, с использованием уникального оптического процесса компоновки в сочетании с надежной конструкцией защиты от мощных лазеров. , для достижения высокой мощности лазерного излучения в диапазоне длин волн 1540 ~ 1565 нм. Обладая высокой мощностью и низким уровнем шума, его можно использовать в оптоволоконной связи, лидарах и т. д.
200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip специально разработан для обеспечения низкой темноты, низкой емкости и высокого лавинного усиления. Используя этот чип, можно получить оптический приемник с высокой чувствительностью.
BoxOptronics Радиационно-стойкое волокно, легированное эрбием, обладает хорошими антирадиационными характеристиками, которые могут эффективно уменьшить воздействие высокоэнергетического ионного излучения на волокно, легированное эрбием. Волокно имеет хорошую консистенцию. Он может накачиваться на 980 нм или 1480 нм и может реализовывать соединение с низкими потерями с коммуникационным оптическим волокном.
Волоконно-оптические усилители EDFA высокой мощности C-диапазона мощностью 5 Вт, 37 дБм (EYDFA-HP) основаны на технологии усилителя волокна с двойной оболочкой, легированной эрбием, с использованием уникального оптического процесса упаковки в сочетании с надежной конструкцией защиты от мощного лазера, чтобы достичь мощного лазерного излучения в диапазоне длин волн 1540~1565 нм. Обладая высокой мощностью и низким уровнем шума, его можно использовать в оптоволоконной связи, лидарах и т. д.
Лавинный фотодиод InGaAs большой площади 500 мкм специально разработан для обеспечения низкой темноты, низкой емкости и высокого лавинного усиления. Используя этот чип, можно получить оптический приемник с высокой чувствительностью.
Copyright @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - Китайские оптоволоконные модули, производители лазеры из волокна, поставщики лазерных компонентов Все права защищены.
