Продукты

200 мкм InGaAs лавинные фотодиоды ЛФД

200 мкм InGaAs лавинные фотодиоды APD являются крупнейшими коммерчески доступными InGaAs APD с высокой чувствительностью и чрезвычайно быстрым временем нарастания и спада во всем диапазоне длин волн от 1100 до 1650 нм, пиковая чувствительность на 1550 нм идеально подходит для безопасных приложений дальномера, оптической связи в свободном пространстве, Рефлектометрия и оптическая когерентная томография. Чип герметично запаян в модифицированный корпус ТО, также доступен вариант с пигтейлами.

Отправить запрос

Описание продукта

1. Краткий обзор 200 мкм лавинных фотодиодов InGaAs APD

200 мкм InGaAs лавинные фотодиоды APD являются крупнейшими коммерчески доступными InGaAs APD с высокой чувствительностью и чрезвычайно быстрым временем нарастания и спада во всем диапазоне длин волн от 1100 до 1650 нм, пиковая чувствительность на 1550 нм идеально подходит для приложений дальномера, оптической связи в свободном пространстве, OTDR и оптическая когерентная томография.
Микросхема герметично запаяна в модифицированный корпус ТО, также доступен вариант с пигтейлами.

2. Внедрение 200 мкм лавинных фотодиодов InGaAs APD

3. Характеристики 200 мкм InGaAs лавинных фотодиодов ЛФД

Диапазон обнаружения 1100нм-1650нм;

Широкий динамический диапазон;

Высокая ответственность;

Низкий темновой ток;

Стандартный пакет ТО-46.

4. Применение 200 мкм InGaAs лавинных фотодиодов APD

Оптический датчик;

свободная космическая оптическая связь.

5. Абсолютные максимальные номинальные характеристики 200 мкм лавинных фотодиодов InGaAs APD.

Параметр	Символ	Состояние	Мин.	Макс.	Единица
PD Обратное напряжение	VR	CW	-	ВБР	V
Прямой ток	ЕСЛИ	CW	-	10	мА
Обратный ток	ИК	CW	-	10	мА
Рабочая Температура	ВЕРШИНА	Температура корпуса	-40	+85	℃
Температура хранения	ТСТГ	Температура окружающей среды	-40	+85	℃
Температура/время пайки свинцом	Ц	-	-	260/10	/с

5. Электрооптические характеристики (T=25°С) 200 мкм InGaAs лавинных фотодиодов APD

Параметр	Символ	Состояние	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
Диапазон длин волн	λ		1100	-	1650	нм
Активная область	φ	-	-	200	-	гм
Ответственность	Ре	М=1,О=1550нм	0.80	-	-	А/В
Коэффициент умножения	M	ВР=ВБР-3, Î=1550нм, Ïe=1мкВт	10	-	-	-
Темный ток	ИДЕНТИФИКАТОР	ВР=ВБР-3, Рэ=0	-	-	35	нА
Обратное напряжение пробоя	ВБР	ID=10 мкА, Ïe=0	40	-	55	V
Пропускная способность	ЧБ	-3dB точка, M=10, RL=50Ом	-	1.25	-	ГГц
Емкость	C	M=10, Ïe=0, f=1МГц	-	-	2	пф

6. Чертеж упаковки и определение PIN-OUT (единица измерения: мм) лавинных фотодиодов InGaAs 200 мкм APD.

7. Доставка, доставка и обслуживание лавинных фотодиодов InGaAs 200 мкм.

Все продукты были протестированы перед отправкой;

Все продукты имеют гарантию 1-3 года. (После истечения гарантийного срока начала взиматься соответствующая плата за техническое обслуживание.)

Мы ценим ваш бизнес и предлагаем мгновенный возврат в течение 7 дней. (7 дней после получения товара);

Если товары, которые вы покупаете в нашем магазине, не имеют идеального качества, то есть они не работают в электронном виде в соответствии со спецификациями производителя, просто верните их нам для замены или возврата денег;

Если товар неисправен, пожалуйста, сообщите нам в течение 3 дней с момента доставки;

Любые предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы иметь право на возмещение или замену;

Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.

8. Часто задаваемые вопросы

В: Какую активную область вы бы хотели?

О: у нас есть лавинные фотодиоды с активной площадью 0,3 мм, 0,5 мм и 1 мм.

В: Каковы требования к разъему?

A: Box Optronics может настроить в соответствии с вашими требованиями.

Горячие Теги: 200um InGaAs лавинные фотодиоды APD, Производители, Поставщики, Оптовая торговля, Фабрика, Индивидуальные, Оптом, Китай, Сделано в Китае, Дешево, Низкая цена, Качество