Широкополосный источник света Ase 1060 нм Производители

Этот недорогой широкополосный источник света C-диапазона C-диапазона имеет длину волны C-диапазона, с 5 ~ 7 д.Б.

лазерный диод 1290nm коаксиальный DFB с отрезком провода модули лазерного диода InGaAsP/InP CWDM MQW-DFB конструированные для систем связи оптического волокна WDM. Эти модули имеют низкий пороговый ток и высокую производительность при высокой температуре. Лазерный диод смонтирован в коаксиальном корпусе, интегрированном с монитором InGaAs PD и одномодовым пигтай-ландом.

Встроенный TEC коаксиальный лазерный диод DFB с длиной волны 1550 нм обычно применяется для стабилизации или модуляции источника света. Кроме того, высокостабильный лазерный источник можно использовать для испытательной аппаратуры и оборудования OTDR. Лазерный диод состоит из чипа CWDM-DFB, встроенного изолятора, встроенного фотодиода монитора и охладителя TEC, а также оптоволоконного разъема SC/APC, SC/PC, FC/APC, FC/PC. Лазерные диоды упакованы в компактный герметичный блок вместе с фотодиодом монитора и изолятором для гибкой интеграции в различные конфигурации передатчиков. Клиенты могут выбрать длину оптического волокна и определение контактов в зависимости от фактического спроса. Выходная мощность доступна в диапазоне 1 МВт, доступна длина волны CWDM 1270–1610 нм.

1060 нм ASE широкополосный источник света для изготовления решетки FBG можно использовать в тесте волоконного устройства, системе написания решетки FBG и т. Д.

Импульсный лазерный чип 905 нм мощностью 70 Вт, выходная мощность 70 Вт, длительный срок службы, высокая эффективность, широко используется в LiDAR, измерительных приборах, безопасности, исследованиях и разработках и других областях.

Клебство с эрбием, легированным поляризацией, устойчивое к поляризации, устойчивое к эрбиуму, имеет хорошие характеристики радиации, которые могут эффективно снизить влияние высокоэнергетического ионного излучения на волокно с эрбием, оно также обладает высокой бирлюснацией и превосходными свойствами поляризации. Волокна имеет хорошую последовательность. Его можно накачать при 980 нм или 1480 нм, и может реализовать связь с низким уровнем потери с оптическим волокном связи.