Высокомощный наносекундный импульсный волоконный лазер с длиной волны 1550 нм Производители

Лавинный фотодиод InGaAs большой площади 500 мкм специально разработан для обеспечения низкой темноты, низкой емкости и высокого лавинного усиления. Используя этот чип, можно получить оптический приемник с высокой чувствительностью.

808-нм 60-ваттный оптоволоконный диодный лазер, мощность 60 Вт, длина волны 808 нм и диаметр сердцевины волокна 106 мкм. Они также основаны на многокристальной технологии высокой надежности. Они предназначены для использования в качестве накачки твердотельных лазеров с диодной накачкой. Источники с одним эмиттером подключаются последовательно и вводятся в выходное волокно с диаметром сердцевины 106 микрон с помощью мощной микрооптики. Все эти оптоволоконные устройства с несколькими одиночными излучателями проходят через надежный процесс приработки и проверки, чтобы обеспечить длительный срок службы и надежность. Мы предлагаем гарантию на один год и обычно отправляем со склада.

Пассивные согласующие волокна Boxoptronics диаметром 1,5 мкм согласованы с волокном, легированным эрбием-иттербием, а высокая производительность согласования снижает потери при сращивании, обеспечивая высокую производительность волокна, легированного эрбием-иттербием, в системных приложениях.

Широкополосный источник света SLD с длиной волны 1550 нм использует технологию полупроводниковых сверхизлучающих диодов для вывода широкополосного спектра и в то же время имеет более высокую выходную мощность. Рабочая длина волны может быть выбрана из 840 нм, 1310 нм, 1550 нм и другой длины волны, которая подходит для таких приложений, как определение оптического волокна. Мы можем предоставить коммуникационный интерфейс и программное обеспечение для хост-компьютера, чтобы облегчить мониторинг состояния источника света.

Многомодовые 2-контактные лазерные диоды с длиной волны 1064 нм мощностью 9 Вт обладают высокой эффективностью, стабильностью и превосходным качеством луча. Модули достигаются за счет преобразования асимметричного излучения чипа лазерного диода в выходное волокно с малым диаметром сердцевины с помощью специальной микрооптики. Процедуры проверки и приработки гарантируют надежность, стабильность и длительный срок службы каждого модуля.

976 нм, 400 мВт PM FBG Стабилизированный лазерный диод-бабочка с косичками в сочетании с волоконно-оптической блокировкой частоты FBG для обеспечения стабильной спектральной длины волны. Профессионально разработанная схема привода и система управления TEC обеспечивают безопасную и стабильную работу лазера, одномодовый выход или выходной сигнал с сохранением поляризации. Этот лазер можно использовать в научных исследованиях и производственных испытаниях. Он подходит в качестве источника лазера накачки для волоконных лазеров или волоконных усилителей.