Фемтосекундный импульсный волоконный лазер с длиной волны 780 нм Производители

Наша фабрика производит волоконные лазерные модули, сверхбыстрые лазерные модули, диодные лазеры высокой мощности. Наша компания использует зарубежные технологические процессы, имеет передовое производственное и испытательное оборудование, в пакете сопряжения устройств конструкция модуля имеет передовые технологии и преимущество в контроле затрат, а также идеальная система обеспечения качества, может гарантировать высокую производительность для клиента. , Оптоэлектронная продукция надежного качества.

Горячие продукты

  • Неохлаждаемый многомодовый лазерный диодный модуль 808 нм, 5 Вт

    Неохлаждаемый многомодовый лазерный диодный модуль 808 нм, 5 Вт

    Неохлаждаемый многомодовый лазерный диодный модуль 808 нм мощностью 5 Вт, использующий профессиональную технологию связи, обладает множеством преимуществ, например, компактным дизайном, стабильной выходной мощностью, высокой мощностью, высокой эффективностью и удобной упаковкой. Эти лазерные диодные модули могут предоставить решения для применения волоконных лазеров и прямых поставщиков.
  • Лазерный диод бабочки CWDM 10mW DFB с TEC для радиосвязи

    Лазерный диод бабочки CWDM 10mW DFB с TEC для радиосвязи

    Ниже приводится информация о лазерном диоде CWDM 10 мВт DFB Butterfly с TEC для телекоммуникаций. Я надеюсь помочь вам лучше понять лазерный диод CWDM 10 мВт DFB Butterfly с TEC для телекоммуникаций. Добро пожаловать новых и старых клиентов, чтобы продолжать сотрудничать с нами, чтобы создать лучшее будущее вместе!
  • Диодный лазер с оптоволоконным соединением мощностью 2 Вт, 830 нм

    Диодный лазер с оптоволоконным соединением мощностью 2 Вт, 830 нм

    Диодный лазер с оптоволоконным соединением мощностью 2 Вт, длина волны 830 нм, предназначен для производства объемных продуктов с высокой эффективностью, стабильностью и превосходным качеством луча. Продукция достигается за счет преобразования асимметричного излучения чипа лазерного диода в выходное волокно с малым диаметром сердцевины с помощью специальной микрооптики. Процедуры проверки и приработки во всех аспектах приводят к результату, гарантирующему каждому продукту надежность, стабильность и длительный срок службы.
  • 1 мм активная область InGaAs PIN-фотодиод

    1 мм активная область InGaAs PIN-фотодиод

    Фотодиод InGaAs с активной площадью 1 мм для обнаружения света в ближнем инфракрасном диапазоне. Особенности включают в себя высокую скорость, высокую чувствительность, низкий уровень шума и спектральные характеристики в диапазоне от 1100 до 1650 нм. Подходит для широкого спектра приложений, включая оптическую связь, анализ и измерения.
  • Лазерный диод 1653,7 нм 13 мВт DFB TO-CAN для обнаружения CH4

    Лазерный диод 1653,7 нм 13 мВт DFB TO-CAN для обнаружения CH4

    Лазерный диод DFB TO-CAN с длиной волны 1653,7 нм и мощностью 13 мВт для обнаружения канала CH4 обеспечивает надежную, стабильную длину волны и высокую выходную мощность с коллимирующей линзой. Этот лазер с одной продольной модой разработан специально для приложений обнаружения газа, нацеленного на метан (CH4). Выход с узкой шириной линии повышает производительность приложений в широком диапазоне условий эксплуатации.
  • Лазерный диод бабочки DFB 1310 нм, 40 мВт

    Лазерный диод бабочки DFB 1310 нм, 40 мВт

    Лазерный диод DFB Butterfly с длиной волны 1310 нм и мощностью 40 мВт представляет собой одночастотный лазерный диодный модуль, предназначенный для оптических измерений и связи. Лазер упакован в стандартный 14-контактный корпус типа «бабочка» с мониторным фотодиодом и термоэлектрическим охладителем (ТЭО).

Отправить запрос