+86-0755 21009302  
  ricky01@boxoptronics.com
Продукты
Главная > Продукты > SLD-диод 840 нм

SLD-диод 840 нм Производители

Наша фабрика производит волоконные лазерные модули, сверхбыстрые лазерные модули, диодные лазеры высокой мощности. Наша компания использует зарубежные технологические процессы, имеет передовое производственное и испытательное оборудование, в пакете сопряжения устройств конструкция модуля имеет передовые технологии и преимущество в контроле затрат, а также идеальная система обеспечения качества, может гарантировать высокую производительность для клиента. , Оптоэлектронная продукция надежного качества.

сопутствующие товары

Горячие продукты

  • 915нм 150Вт диодный лазер высокой яркости с оптоволоконным соединением

    915нм 150Вт диодный лазер высокой яркости с оптоволоконным соединением

    915-нм 150-ваттный диодный лазер высокой яркости с оптоволоконным соединением, обеспечивающий выходную мощность до 150 Вт через волокно 106 мкм. Он основан на методе одиночного излучателя и методе пространственного гребенки и поляризационного чесания, таким образом реализуя доставку лазера высокой мощности и высокой яркости.
  • 940-нм 60-ваттный диодный лазер с оптоволоконным соединением

    940-нм 60-ваттный диодный лазер с оптоволоконным соединением

    940-нм 60-ваттный волоконно-оптический диодный лазер обеспечивает высокую яркость, компактность и упрощенное управление температурным режимом за счет воздействия на диоды (источники тепла), что позволяет использовать архитектуры с воздушным или водяным охлаждением с предсказуемой высокой надежностью. Серия волоконно-диодных лазеров мощностью 60 Вт с длиной волны 940 нм — это уникальное решение для рынка волоконно-оптических лазеров накачки, предлагающее мощные технические характеристики в экономичном корпусе.
  • Лазерный чип LD COS, 940 нм, 12 Вт, на подставке

    Лазерный чип LD COS, 940 нм, 12 Вт, на подставке

    Лазерный чип LD COS 940 нм, 12 Вт на подкреплении, выходная мощность 12 Вт, высокая эффективность, длительный срок службы, широко используется в промышленных насосах, исследованиях и разработках, лазерном освещении, медицине и других областях.
  • 1370nm DFB Встроенный изолятор-бабочка Лазерный диод

    1370nm DFB Встроенный изолятор-бабочка Лазерный диод

    1370nm DFB Встроенный изолятор Butterfly Laser Diode Высокая выходная мощность 4 ~ 100 мВт Встроенный изолятор, TEC, термистор и монитор PD Герметично запечатанный 14-контактный пакет Butterfly PAL и NTSC системная загрузка доступна.
  • 1030-нм лазерный диод DFB с оптоволоконным соединением

    1030-нм лазерный диод DFB с оптоволоконным соединением

    Модуль лазерного диода DFB с длиной волны 1030 нм — это экономичный высококогерентный лазерный диод. Чип лазерного диода DFB упакован в стандартный герметичный 14-контактный корпус типа «бабочка» со встроенными модулями TEC и PD.
  • Многорежимный лазерный модуль накачки мощностью 40 Вт, длина волны 915 нм

    Многорежимный лазерный модуль накачки мощностью 40 Вт, длина волны 915 нм

    Многорежимный лазерный модуль накачки мощностью 40 Вт с длиной волны 915 нм разработан и изготовлен компанией BoxOptronics. Он предъявляет высокие требования к производительности и надежности для накачки волоконных и твердотельных лазеров.
  • Связанный блог
  • Отзывы

  • Измерение ширины узкой линии для лазерного диода

  • Мощные лазеры, работающие на длине волны 1 мкм

    Мощные лазеры, работающие на длине волны 1 мкм, включая волоконные лазеры, твердотельные лазеры с диодной накачкой (DPSS) и лазеры с прямым диодом, все чаще используются в высокоавтоматизированных производственных линиях. Они обеспечивают широкий спектр приложений обработки материалов, таких как сварка, резка, пайка, наплавка, обработка поверхности, нагрев объемных материалов, высоколокальный нагрев и аддитивное производство. Оптимальные конструкции лазеров могут быть достигнуты при правильном выборе полупроводниковых лазеров, специализированной оптики и решений для управления температурой.

  • Что такое волоконный усилитель, легированный эрбием?

    Волоконный усилитель, легированный эрбием (EDFA, то есть усилитель оптического сигнала с легированным ионом эрбия Er3+ в сердцевине проходящего сигнала) — первый оптический усилитель, разработанный Саутгемптонским университетом в Великобритании в 1985 году. лучший оптический усилитель в оптоволоконной связи. Одно из изобретений. Волокно, легированное эрбием, представляет собой оптическое волокно, легированное небольшим количеством ионов редкоземельного элемента эрбия (Er) в кварцевом волокне, и оно является сердцевиной волоконного усилителя, легированного эрбием. С конца 1980-х годов исследования волоконных усилителей, легированных эрбием, постоянно совершали крупные прорывы. Технология WDM значительно увеличила пропускную способность оптоволоконной связи. Станьте наиболее широко используемым оптическим усилителем в современной оптоволоконной связи.

  • Устройства ТОСА и РОСА в оптических модулях

    Являясь одним из основных элементов оптической связи на средние и дальние расстояния, оптический модуль играет роль в фотоэлектрическом преобразовании. Он состоит из оптических устройств, функциональных печатных плат и оптических интерфейсов.

  • Фемтосекундный лазер

    Фемтосекундный лазер представляет собой устройство, генерирующее «ультракороткие импульсы света», которое излучает свет только в течение сверхкороткого времени, составляющего около одной гигасекунды. Fei — это сокращение от Femto, префикс Международной системы единиц, и 1 фемтосекунда = 1×10^-15 секунд. Так называемый импульсный свет излучает свет только на мгновение. Время излучения вспышки камеры составляет около 1 микросекунды, поэтому ультракороткий импульс света фемтосекунды излучает свет только около одной миллиардной части своего времени. Как мы все знаем, скорость света составляет 300 000 километров в секунду (7 с половиной оборотов вокруг Земли за 1 секунду) с беспрецедентной скоростью, но за 1 фемтосекунду даже свет перемещается всего на 0,3 микрона.

  • Что такое полупроводниковый лазер?

    С момента изобретения первого в мире полупроводникового лазера в 1962 году полупроводниковый лазер претерпел огромные изменения, значительно способствовавшие развитию других наук и технологий, и считается одним из величайших изобретений человечества в двадцатом веке. За последние десять лет полупроводниковые лазеры развивались более быстрыми темпами и стали самой быстрорастущей лазерной технологией в мире. Область применения полупроводниковых лазеров охватывает всю область оптоэлектроники и стала основной технологией современной науки об оптоэлектронике. Благодаря преимуществам малого размера, простой конструкции, низкой подводимой энергии, длительному сроку службы, простоте модуляции и низкой цене полупроводниковые лазеры широко используются в области оптоэлектроники и высоко ценятся странами во всем мире.

Отправить запрос

Copyright @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - Китайские оптоволоконные модули, производители лазеры из волокна, поставщики лазерных компонентов Все права защищены.