Модуль усилителя высокой мощности 3 Вт EDFA Производители

Высокомощный 1550-нм DFB-оптический лазерный диод-бабочка в основном используется в качестве оптического сигнала для высокопроизводительной оптической связи на большие расстояния, а также для широкого спектра новых приложений, таких как обнаружение волокна, трехмерное обнаружение, обнаружение газа и диагностика заболеваний, таких как как респираторный и сосудистый мониторинг. В области обнаружения газа он используется в качестве источника света для газовых датчиков, которые обнаруживают утечки газа метана вокруг заводских труб.

1390nm DFB Laser Diode SM Fiber TEC обычно применяется для стабилизации или модуляции источника света. Кроме того, высокостабильный лазерный источник можно использовать для тестирования аппаратуры и оборудования OTDR. Лазерный диод состоит из чипа CWDM-DFB, встроенного изолятора, встроенного фотодиода монитора и охладителя TEC, а также оптоволоконного разъема SC/APC,SC/PC, FC/APC,FC/PC. Клиенты могут выбрать длину оптического волокна и определение контактов в зависимости от фактического спроса. Выходная мощность доступна от 1 МВт, доступна длина волны 1270–1610 нм CWDM.

Широкополосные суперлюминесцентные диоды SLED с длиной волны 830 нм, работающие в настоящем суперлюминесцентном режиме. Это суперлюминесцентное свойство создает более широкую полосу пропускания при более высоких токах возбуждения в отличие от других традиционных SLED, основанных на ASE, здесь высокая мощность имеет тенденцию давать более узкую полосу пропускания. Его низкая когерентность снижает шум обратного рэлеевского рассеяния. В сочетании с высокой мощностью и большой шириной спектра он компенсирует шум фотоприемника и улучшает пространственное разрешение (в ОКТ) и чувствительность измеряемых величин (в датчиках). SLED доступен в 14-контактном корпусе типа «бабочка». Это соответствует требованиям документа Bellcore GR-468-CORE.

1-мм чип фотодиода InGaAs/InP PIN обеспечивает превосходный отклик от 900 до 1700 нм, 1-мм чип фотодиода InGaAs/InP PIN идеально подходит для оптических сетевых приложений с высокой пропускной способностью 1310 нм и 1550 нм. Серия устройств предлагает высокую чувствительность, низкий темновой ток и широкую полосу пропускания для высокой производительности и конструкции приемника с низкой чувствительностью. Это устройство идеально подходит для производителей оптических приемников, транспондеров, модулей оптической передачи и комбинированных PIN-фотодиодов и трансимпедансных усилителей.

Суперлюминесцентные светоизлучающие диоды SLED или SLD с длиной волны 1310 нм и мощностью 1 мВт представляют собой высококвалифицированные светодиоды для широкого спектра применений в волоконно-оптических гироскопах (FOG). Эти SLED могут работать в сложных температурных диапазонах, с повышенным уровнем ударов/вибраций и имеют проверенный длительный срок службы благодаря их использованию в оборонной и космической среде.

Лазерный диод DFB с косичкой 1470 нм с одномодовым волокном состоит из лазеров с распределенной обратной связью (DFB), к которым точно прикреплен оптоволоконный пигтейл для оптимальной эффективности связи. Эта версия с центральной длиной волны 1550 нм имеет типичную выходную мощность 1 мВт ~ 4 мВт и включает в себя фотодиод на задней панели и встроенный оптический изолятор. Одномодовый оптический пигтейл 9/125 заканчивается оптоволоконным разъемом типа FC/APC или FC/PC. Приложения включают высокоскоростные системы передачи данных и телекоммуникаций, а также контрольно-измерительные приборы, а также оптические инструменты, требующие источника света на лазерном диоде.