+86-0755 21009302  
  ricky01@boxoptronics.com
Продукты
Главная > Продукты > оптоволоконный широкополосный источник света ASE

оптоволоконный широкополосный источник света ASE Производители

Наша фабрика производит волоконные лазерные модули, сверхбыстрые лазерные модули, диодные лазеры высокой мощности. Наша компания использует зарубежные технологические процессы, имеет передовое производственное и испытательное оборудование, в пакете сопряжения устройств конструкция модуля имеет передовые технологии и преимущество в контроле затрат, а также идеальная система обеспечения качества, может гарантировать высокую производительность для клиента. , Оптоэлектронная продукция надежного качества.

сопутствующие товары

Горячие продукты

  • Модуль высокоскоростного фотодетектора InGaAs 3 ГГц

    Модуль высокоскоростного фотодетектора InGaAs 3 ГГц

    Модуль высокоскоростного фотодетектора InGaAs 3 ГГц имеет полосу пропускания фотоэлектрического отклика ¥3 ГГц, время нарастания импульса 125 пс и диапазон длин волн 1020–1650 нм. Интерфейс SMA используется для вывода РЧ-сигнала, который подключается к испытательному РЧ-оборудованию. для оптической системы передачи, сверхбыстрого обнаружения лазерного импульса.
  • Чип фотодиода PIN 500um InGaAs

    Чип фотодиода PIN 500um InGaAs

    Чип фотодиода InGaAs PIN 500 мкм обеспечивает превосходный отклик в диапазоне от 900 до 1700 нм, что идеально подходит для телекоммуникаций и обнаружения в ближнем ИК-диапазоне. Фотодиод идеально подходит для приложений с высокой пропускной способностью и активного выравнивания.
  • 1550nm 40mW 200Khz Узкая ширина линии DFB Butterfly Лазерный диод

    1550nm 40mW 200Khz Узкая ширина линии DFB Butterfly Лазерный диод

    Лазерный диод DFB Butterfly с узкой шириной линии 1550 нм, мощностью 40 мВт, частотой 200 кГц основан на уникальном одиночном чипе DFB, имеет уникальный дизайн чипа, передовую технологию упаковки, имеет малую ширину линии и относительную интенсивность шума, а также имеет низкую чувствительность к длине волны и рабочему току. Устройство использует стандартный 14-контактный корпус бабочки с высокой выходной мощностью, высокой стабильностью и высокой надежностью.
  • 1568 ~ 1611 нм L+полоса ASE широкополосный источник света, до 200 МВт

    1568 ~ 1611 нм L+полоса ASE широкополосный источник света, до 200 МВт

    Он полностью охватывает диапазон волн волн L+ полоса 1568 ~ 1611 нм, спектральный диапазон превышает 40 нм, а спектральная плоскостность лучше, чем 2,5 дБ. Выходная мощность одномодевого волокна превышает 200 МВт, что подходит для таких приложений, как волоконно-оптическая связь, оптоволоконное зондирование.
  • 1390 нм DFB Лазерный диод SM Fiber TEC

    1390 нм DFB Лазерный диод SM Fiber TEC

    1390nm DFB Laser Diode SM Fiber TEC обычно применяется для стабилизации или модуляции источника света. Кроме того, высокостабильный лазерный источник можно использовать для тестирования аппаратуры и оборудования OTDR. Лазерный диод состоит из чипа CWDM-DFB, встроенного изолятора, встроенного фотодиода монитора и охладителя TEC, а также оптоволоконного разъема SC/APC,SC/PC, FC/APC,FC/PC. Клиенты могут выбрать длину оптического волокна и определение контактов в зависимости от фактического спроса. Выходная мощность доступна от 1 МВт, доступна длина волны 1270–1610 нм CWDM.
  • 1290 нм коаксиальный лазерный диод DFB TEC до 7 мВт

    1290 нм коаксиальный лазерный диод DFB TEC до 7 мВт

  • Связанный блог
  • Отзывы

  • Принцип лазерной чистки

    В середине 1980-х годов Беклемышев, Аллрн и другие ученые объединили лазерную технологию и технологию очистки для практических нужд и провели соответствующие исследования. С тех пор родилась техническая концепция лазерной очистки (Laser Cleanning). Хорошо известно, что связь между загрязняющими веществами и субстратами. Сила связи делится на ковалентную связь, двойной диполь, капиллярное действие и силу Ван-дер-Ваальса. Если эту силу удастся преодолеть или разрушить, эффект дезактивации будет достигнут.

  • Применение полупроводниковых лазеров

    Полупроводниковые лазеры — это тип лазеров, которые созревают раньше и быстро развиваются. Благодаря широкому диапазону длин волн, простоте изготовления, низкой стоимости, простоте массового производства, а также небольшому размеру, легкому весу и длительному сроку службы его разнообразие быстро развивается, а область применения Диапазон широк, и в настоящее время существует более 300 наименований. разновидность.

  • Основная классификация датчиков

  • Легированный эрбий лазер с легированным волокном

    С легированным эрбием лазер с легированным модом является лазер, который использует оптическое волокно, легированное эрбием в качестве активной среды. Элементы, легированные эрбием, могут поглощать энергию света в определенном диапазоне длины волны и излучать лазерные фотоны определенной длины волны. Laser с закрепленным в режиме волокна-это лазер, который может производить чрезвычайно короткие импульсы и часто используется в научных исследованиях, коммуникационных технологиях и обработке материалов.

  • Как проверить коэффициент пропускания и отражения оптических компонентов?

    При уходе падающего светового потока от освещаемой поверхности или падающей поверхности среды на другую сторону отношение лучистой энергии, спроецированной и прошедшей через предмет, к полной лучистой энергии, спроецированной на предмет, называется коэффициентом пропускания предмета . Отношение лучистой энергии, отраженной объектом, к общей лучистой энергии называется коэффициентом отражения.

  • Волоконный усилитель задающего генератора

    Волоконный усилитель основного генератора (MOFA, MOPFA или волоконный MOPA) отличается от усилителя мощности основного генератора (MOPA), что означает, что усилитель мощности в системе является волоконным усилителем. Последние обычно представляют собой мощные усилители с накачкой в ​​оболочке, обычно изготавливаемые с использованием волокон, легированных иттербием.

Отправить запрос

Copyright @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - Китайские оптоволоконные модули, производители волоконно-оптических лазеров, поставщики лазерных компонентов. Все права защищены.