Лазерный диод DFB 1064 нм Производители

Вы можете быть уверены, что купите модуль предварительного усилителя с эрбиевым волокном C-диапазона на нашем заводе, и мы предложим вам лучшее послепродажное обслуживание и своевременную доставку.

Этот лазерный диод TO-CAN DFB с длиной волны 1550 нм и мощностью 5 мВт является продуктом, работающим в широком диапазоне температур с низким коэффициентом температура-длина волны. Он хорошо подходит для таких приложений, как исследования связи, интерферометрия и оптическая рефлектометрия для измерения расстояния в оптоволокне или в свободном пространстве. Каждое устройство проходит тестирование и обкатку. Этот лазер поставляется в 5,6-мм корпусе TO Can. Он содержит встроенную асферическую фокусирующую линзу в крышке, позволяющую согласовать пятно фокусировки и числовую апертуру (NA) с волокном SMF-28e+.

Встроенный TEC коаксиальный лазерный диод DFB с длиной волны 1550 нм обычно применяется для стабилизации или модуляции источника света. Кроме того, высокостабильный лазерный источник можно использовать для испытательной аппаратуры и оборудования OTDR. Лазерный диод состоит из чипа CWDM-DFB, встроенного изолятора, встроенного фотодиода монитора и охладителя TEC, а также оптоволоконного разъема SC/APC, SC/PC, FC/APC, FC/PC. Лазерные диоды упакованы в компактный герметичный блок вместе с фотодиодом монитора и изолятором для гибкой интеграции в различные конфигурации передатчиков. Клиенты могут выбрать длину оптического волокна и определение контактов в зависимости от фактического спроса. Выходная мощность доступна в диапазоне 1 МВт, доступна длина волны CWDM 1270–1610 нм.

975нм 976нм 980нм 200Вт высокомощный оптоволоконный диодный лазер имеет высокую мощность 200Вт, центральную длину волны 976нм, они также имеют диаметр сердцевины волокна 200мкм. Эти модули обеспечивают высокую эффективность, стабильность и превосходное качество луча. Производство достигается за счет преобразования асимметричного излучения чипа лазерного диода в выходное волокно с малым диаметром сердцевины с помощью специальной микрооптики. Процедуры проверки и приработки во всех аспектах приводят к результату, гарантирующему каждому продукту надежность, стабильность и длительный срок службы. Обработка материалов и накачка волоконных лазеров являются ожидаемыми областями применения этих лазеров.

Чип 976 нм мощностью 12 Вт на лазерном диоде Submount COS, в котором используется связка AuSn и пакет P Down, обладает множеством преимуществ: высокой надежностью, стабильной выходной мощностью, высокой мощностью, высокой эффективностью, длительным сроком службы и высокой совместимостью и широко применяется на рынке. Этот чип на Для установки корпуса лазерного диода требуется правильная пайка к радиатору.

Чип фотодиода InGaAs 300 мкм обеспечивает превосходный отклик в диапазоне от 900 до 1700 нм, что идеально подходит для телекоммуникаций и обнаружения в ближнем ИК-диапазоне. Фотодиод идеально подходит для приложений с высокой пропускной способностью и активного выравнивания.