Фотодиод InGaAs 1310/1550 нм Производители

Хотя и спектр, и частотный спектр представляют собой электромагнитный спектр, из-за разницы в частоте методы анализа и инструменты для тестирования спектра и частотного спектра сильно различаются. Некоторые проблемы трудно решить в оптической области, но их легче решить с помощью преобразования частоты в электрическую область.

Проблемы, с которыми сталкиваются мощные непрерывные волоконные лазеры, легированные тулием. За последние два десятилетия выходная мощность непрерывных волоконных лазеров, легированных тулием, резко возросла. Выходная мощность одного полностью оптоволоконного генератора превысила 500 Вт; Цельноволоконная структура MOPA достигла выходной мощности в киловатт. Однако по-прежнему существует множество проблем, ограничивающих дальнейшее улучшение энергетики.

Технология измерения температуры оптического волокна — это новая технология, которая была разработана только в последние годы и постепенно продемонстрировала некоторые превосходные характеристики. Но, как и другие новые технологии, технология измерения температуры оптического волокна не является панацеей. Он используется не для замены традиционных методов, а для дополнения и улучшения традиционных методов измерения температуры. Используя его сильные стороны в полной мере, можно создавать новые решения для измерения температуры и технические приложения.

DWDM: плотное мультиплексирование с разделением по длине волны — это возможность объединять группу оптических длин волн и использовать для передачи одно оптическое волокно. Это лазерная технология, используемая для увеличения пропускной способности существующих оптоволоконных магистральных сетей. Точнее говоря, технология заключается в мультиплексировании узкого спектрального интервала одного несущего волокна в указанном волокне для использования достижимых характеристик передачи (например, для достижения минимальной степени дисперсии или затухания). Таким образом, при заданной пропускной способности передачи информации общее количество необходимых оптических волокон может быть уменьшено.

С момента изобретения первого в мире полупроводникового лазера в 1962 году полупроводниковый лазер претерпел огромные изменения, значительно способствовавшие развитию других наук и технологий, и считается одним из величайших изобретений человечества в двадцатом веке. За последние десять лет полупроводниковые лазеры развивались более быстрыми темпами и стали самой быстрорастущей лазерной технологией в мире. Область применения полупроводниковых лазеров охватывает всю область оптоэлектроники и стала основной технологией современной науки об оптоэлектронике. Благодаря преимуществам малого размера, простой конструкции, низкой подводимой энергии, длительному сроку службы, простоте модуляции и низкой цене полупроводниковые лазеры широко используются в области оптоэлектроники и высоко ценятся странами во всем мире.

Традиционный лазер использует термическое накопление лазерной энергии для плавления и даже испарения материала в активной области. В процессе будет образовываться большое количество сколов, микротрещин и других дефектов обработки, и чем дольше будет работать лазер, тем больше будет повреждение материала. Ультракороткоимпульсный лазер имеет сверхкороткое время взаимодействия с материалом, а энергия одиночного импульса достаточно мощная, чтобы ионизировать любой материал, реализовать холодную обработку без горячего расплава и получить ультратонкий, низкотемпературный материал. преимущества обработки повреждений, несравнимые с длинноимпульсным лазером. В то же время для подбора материалов более широкое применение имеют сверхбыстрые лазеры, которые могут быть применены к металлам, покрытиям из ТВС, композиционным материалам и т.д.