Фотодиод InGaAs 1310/1550 нм Производители

Наша фабрика производит волоконные лазерные модули, сверхбыстрые лазерные модули, диодные лазеры высокой мощности. Наша компания использует зарубежные технологические процессы, имеет передовое производственное и испытательное оборудование, в пакете сопряжения устройств конструкция модуля имеет передовые технологии и преимущество в контроле затрат, а также идеальная система обеспечения качества, может гарантировать высокую производительность для клиента. , Оптоэлектронная продукция надежного качества.

Горячие продукты

  • 760 нм 2 Вт высококачественный волоконный лазерный диод LD

    760 нм 2 Вт высококачественный волоконный лазерный диод LD

    Этот высококачественный волоконный лазерный диод мощностью 2 Вт с длиной волны 760 нм был разработан для накачки волоконных лазеров, а также в медицине или обработке материалов. Он обеспечивает мощность лазера до 2 Вт из волокна 105 мкм в числовую апертуру 0,22 с опциональной стабилизацией длины волны от 760 нм.
  • Коаксиальный лазерный диод DFB, 1550 нм, встроенный TEC

    Коаксиальный лазерный диод DFB, 1550 нм, встроенный TEC

    Встроенный TEC коаксиальный лазерный диод DFB с длиной волны 1550 нм обычно применяется для стабилизации или модуляции источника света. Кроме того, высокостабильный лазерный источник можно использовать для испытательной аппаратуры и оборудования OTDR. Лазерный диод состоит из чипа CWDM-DFB, встроенного изолятора, встроенного фотодиода монитора и охладителя TEC, а также оптоволоконного разъема SC/APC, SC/PC, FC/APC, FC/PC. Лазерные диоды упакованы в компактный герметичный блок вместе с фотодиодом монитора и изолятором для гибкой интеграции в различные конфигурации передатчиков. Клиенты могут выбрать длину оптического волокна и определение контактов в зависимости от фактического спроса. Выходная мощность доступна в диапазоне 1 МВт, доступна длина волны CWDM 1270–1610 нм.
  • Полупроводниковый оптический усилитель SOA 1310 нм 10 дБм SM Butterfly

    Полупроводниковый оптический усилитель SOA 1310 нм 10 дБм SM Butterfly

    Полупроводниковый оптический усилитель SOA SM Butterfly с длиной волны 1310 нм, 10 дБм разработан с использованием высококачественного углового чипа SOA и TEC, который может обеспечить стабильное усиление на выходе для большого динамического входного сигнала. Устройства доступны в стандартном 14-контактном корпусе типа «бабочка» на диапазонах 1310 нм и 1550 нм. Устройства SOA имеют высокий оптический коэффициент усиления, высокую выходную мощность насыщения, низкие потери, зависящие от поляризации, низкий коэффициент шума и широкий диапазон длин волн. У нас есть варианты оптических изоляторов для входной и/или выходной стороны, а также выходные волокна SM-волокон, PM-волокон и других специальных волокон по спецификациям заказчика. Продукты сертифицированы Telcordia GR-468 и соответствуют требованиям RoHS.
  • 915 нм 130 Вт лазерный диод 106 мкм волоконно-оптический модуль

    915 нм 130 Вт лазерный диод 106 мкм волоконно-оптический модуль

    915-нм 130 Вт лазерный диод 106 мкм волоконно-оптический модуль обеспечивает выходную мощность до 130 Вт от волокна 106 мкм. Диодный лазер сохраняет свою непревзойденную надежность и эффективность за счет сочетания мощных одноэмиттерных диодов высокой яркости и запатентованной оптической конструкции для эффективного соединения волокон.
  • Лазерный диод TO-CAN DFB 1290 нм, 5 мВт

    Лазерный диод TO-CAN DFB 1290 нм, 5 мВт

    Этот лазерный диод TO-CAN DFB с длиной волны 1290 нм и мощностью 5 мВт может работать в широком диапазоне температур с низким коэффициентом температуры и длины волны. Он хорошо подходит для таких приложений, как исследования связи, интерферометрия и оптическая рефлектометрия для измерения расстояния в оптоволокне или в свободном пространстве. Каждое устройство проходит тестирование и обкатку. Этот лазер поставляется в 5,6-мм корпусе TO Can. Он содержит встроенную асферическую фокусирующую линзу в крышке, позволяющую согласовать пятно фокусировки и числовую апертуру (NA) с волокном SMF-28e+.
  • Диодный лазерный чип 976 нм, 12 Вт

    Диодный лазерный чип 976 нм, 12 Вт

    Диодный лазерный чип мощностью 976 нм, 12 Вт, выходная мощность 12 Вт, длительный срок службы, высокая эффективность, широко используется в промышленных насосах, лазерном освещении, исследованиях и разработках и других областях.

Отправить запрос