Лазерный диод-бабочка DFB 1545,32 нм Производители

Наша фабрика производит волоконные лазерные модули, сверхбыстрые лазерные модули, диодные лазеры высокой мощности. Наша компания использует зарубежные технологические процессы, имеет передовое производственное и испытательное оборудование, в пакете сопряжения устройств конструкция модуля имеет передовые технологии и преимущество в контроле затрат, а также идеальная система обеспечения качества, может гарантировать высокую производительность для клиента. , Оптоэлектронная продукция надежного качества.

Горячие продукты

  • 760 нм 2 Вт высококачественный волоконный лазерный диод LD

    760 нм 2 Вт высококачественный волоконный лазерный диод LD

    Этот высококачественный волоконный лазерный диод мощностью 2 Вт с длиной волны 760 нм был разработан для накачки волоконных лазеров, а также в медицине или обработке материалов. Он обеспечивает мощность лазера до 2 Вт из волокна 105 мкм в числовую апертуру 0,22 с опциональной стабилизацией длины волны от 760 нм.
  • 450-нм 10 Вт многомодовый лазерный диод с оптоволоконным соединением

    450-нм 10 Вт многомодовый лазерный диод с оптоволоконным соединением

    Многомодовый лазерный диод с длиной волны 450 нм и мощностью 10 Вт обеспечивает выходную мощность до 10 Вт при использовании оптоволокна диаметром 106 мкм. Диодный лазер сохраняет свою непревзойденную надежность и эффективность за счет сочетания мощных одноэмиттерных диодов высокой яркости и запатентованной оптической конструкции для эффективного соединения волокон.
  • 1330 нм DFB со встроенным лазерным диодом TEC Butterfly

    1330 нм DFB со встроенным лазерным диодом TEC Butterfly

    1330-нм DFB, встроенный в лазерный диод TEC Butterfly, предназначен для широковещательной и узконаправленной аналоговой передачи в приложениях CATV и CWDM. Модули обеспечивают высокую выходную мощность при сохранении высокой линейности. Модули размещены в стандартном для отрасли герметичном 14-контактном корпусе типа «бабочка», который содержит оптический изолятор, термоэлектрический охладитель и фотодиод контроля мощности.
  • Легированное эрбием волокно C-диапазона

    Легированное эрбием волокно C-диапазона

    Легированное эрбием волокно C-диапазона предназначено для одноканальных и многоканальных волоконных усилителей C-диапазона, источника света ASE, EDFA для городских сетей, EDFA для кабельного телевидения и EDFA для DWDM. Оптическое волокно можно накачивать на длине волны 980 нм или 1480 нм, оно имеет низкие потери и хорошую стабильность при соединении с коммуникационным оптическим волокном.
  • Широкополосный источник света SLD 850 нм, 10 мВт

    Широкополосный источник света SLD 850 нм, 10 мВт

    Широкополосный источник света SLD с длиной волны 850 нм и мощностью 10 мВт использует технологию полупроводниковых сверхизлучающих диодов для вывода широкополосного спектра и в то же время имеет более высокую выходную мощность. Рабочая длина волны может быть выбрана из 840 нм, 1310 нм, 1550 нм и другой длины волны, которая подходит для таких приложений, как определение оптического волокна. Мы можем предоставить коммуникационный интерфейс и программное обеспечение для хост-компьютера, чтобы облегчить мониторинг состояния источника света.
  • Лавинный фотодиод InGaAs 50 мкм

    Лавинный фотодиод InGaAs 50 мкм

    Лавинный фотодиод InGaAs 50 мкм представляет собой фотодиод с внутренним усилением, создаваемым приложением обратного напряжения. У них более высокое отношение сигнал/шум (SNR), чем у фотодиодов, а также малый временной отклик, низкий темновой ток и высокая чувствительность. Диапазон спектрального отклика обычно находится в пределах 900–1650 нм.

Отправить запрос