Лазерный диод накачки с волоконной связью 980 нм Производители

Наша фабрика производит волоконные лазерные модули, сверхбыстрые лазерные модули, диодные лазеры высокой мощности. Наша компания использует зарубежные технологические процессы, имеет передовое производственное и испытательное оборудование, в пакете сопряжения устройств конструкция модуля имеет передовые технологии и преимущество в контроле затрат, а также идеальная система обеспечения качества, может гарантировать высокую производительность для клиента. , Оптоэлектронная продукция надежного качества.

Горячие продукты

  • 830 нм, 2 Вт, 50 мкм, диодный лазер с оптоволоконным соединением

    830 нм, 2 Вт, 50 мкм, диодный лазер с оптоволоконным соединением

    830-нм 2 Вт 50 мкм волоконно-оптический диодный лазер предназначен для производства объемных продуктов с высокой эффективностью, стабильностью и превосходным качеством луча. Продукция достигается за счет преобразования асимметричного излучения чипа лазерного диода в выходное волокно с малым диаметром сердцевины с помощью специальной микрооптики. Процедуры проверки и приработки во всех аспектах приводят к результату, гарантирующему каждому продукту надежность, стабильность и длительный срок службы.
  • 200 мкм InGaAs лавинные фотодиоды ЛФД

    200 мкм InGaAs лавинные фотодиоды ЛФД

    200 мкм InGaAs лавинные фотодиоды APD являются крупнейшими коммерчески доступными InGaAs APD с высокой чувствительностью и чрезвычайно быстрым временем нарастания и спада во всем диапазоне длин волн от 1100 до 1650 нм, пиковая чувствительность на 1550 нм идеально подходит для безопасных приложений дальномера, оптической связи в свободном пространстве, Рефлектометрия и оптическая когерентная томография. Чип герметично запаян в модифицированный корпус ТО, также доступен вариант с пигтейлами.
  • Чип фотодиода InGaAs 300 мкм

    Чип фотодиода InGaAs 300 мкм

    Чип фотодиода InGaAs 300 мкм обеспечивает превосходный отклик в диапазоне от 900 до 1700 нм, что идеально подходит для телекоммуникаций и обнаружения в ближнем ИК-диапазоне. Фотодиод идеально подходит для приложений с высокой пропускной способностью и активного выравнивания.
  • Волокно с высоким поглощением, легированное эрбием

    Волокно с высоким поглощением, легированное эрбием

    Волокно с высоким поглощением, легированное эрбием, может уменьшить длину используемого волокна, тем самым уменьшая нелинейный эффект волокна, и в основном используется в 1,5 мкм волоконных усилителях и волоконных лазерах. Волокно прокачивается при длине волны 980 нм или 1480 нм и имеет низкие потери при сращивании и хорошую консистенцию.
  • 10 мВт 20 мВт LAN WDM DFB Лазерный диод

    10 мВт 20 мВт LAN WDM DFB Лазерный диод

    Лазерный диод LAN WDM DFB мощностью 10 мВт и 20 мВт состоит из четырех длин волн: 1273,55 нм, 1277,89 нм, 1282,26 нм, 1286,66 нм, 1291,10 нм, 1295,56 нм, 1300,05 нм, 1304,58 нм, 1309,1 4 нм. Длина волны термостабилизирована. Лазерные диоды выполнены в герметичном 14-выводном корпусе типа «бабочка», который содержит ТЭП, термистор, мониторный ФД и оптический изолятор. У нас также есть полный выбор выходной мощности, типов пакетов и волокон SM, PM и других специальных волокон. Этот модуль соответствует требованиям Telcordia GR-468-CORE и директивам RoHS.
  • Коаксиальный пигтейл Ingaas Фотодиод

    Коаксиальный пигтейл Ingaas Фотодиод

    Коаксиальный фотодиод Ingaas с длиной волны 1100–1650 нм использует небольшой коаксиальный корпус и детекторный чип InGaAs. Он отличается очень низким энергопотреблением, малым темновым током, низкими обратными потерями, хорошей гибкостью, отличной линейностью, компактным дизайном, небольшим объемом, высокой надежностью и длительным сроком службы. Эта серия продуктов чаще всего используется в приемниках кабельного телевидения, приемниках оптических сигналов в аналоговых системах и детекторах мощности.

Отправить запрос