Программируемый оптический аттенюатор Производители

Многомодовый лазерный диод мощностью 10 Вт с длиной волны 975 нм, соединенный с оптоволоконным кабелем, — это новейшее решение на нашей платформе L4 для рынка накачки волоконных лазеров. Конструкция лазерного диода, использующая площадь основания L4, обеспечивает высокую степень защиты от обратной связи при любой длине волны волоконного лазера. Эта функция позволяет конечным пользователям эксплуатировать волоконный лазер практически без риска обратной связи с диодным лазером, что делает решение менее дорогостоящим, чем традиционная система изоляции. Многомодовый лазерный диод мощностью 10 Вт с длиной волны 975 нм, соединенный с волокном, обеспечивает мощность 10 Вт от волокна диаметром 105 мкм. Кроме того, многомодовый лазерный диод мощностью 10 Вт с длиной волны 975 нм, соединенный с оптоволоконным кабелем, обеспечивает высокую яркость и компактность, а также неизменно высокую надежность в экономичном решении.

1590nm DFB Butterfly Laser Diodes 14-Pin SM Fiber или PM Fiber - это волокно, соединенное с одномодовым оптическим волокном. Выходная мощность CW зависит от длины волны и находится в пределах от 2 мВт до 40 мВт. Резонатор с распределенной обратной связью обеспечивает ширину линии всего 0,1 нм.

1310 нм 100 мВт DFB Butterfly Package Лазерный диод с оптоволоконным соединением основан на многоквантовой яме (MQW) с распределенной обратной связью (DFB) и высоконадежной структуре гребенчатого волновода. Это устройство размещено в высокопроизводительном 14-контактном корпусе типа «бабочка» и соединено с волокном длиной 1 м с разъемами FC/APC, поддерживающими поляризацию.

1560-нм фемтосекундный импульсный волоконный лазерный модуль широко используется в областях оптической гребенки частот, спектра суперконтинуума, терагерцового ТГц и так далее. Мы можем принять настройку ширины импульса, мощности, частоты повторения и других параметров.

Волоконные усилители EDFA (EYDFA-HP) высокой мощности C-диапазона, легированные эрбием, мощностью 3 Вт, 35 дБм, основаны на технологии усилителей с двойной оболочкой, легированных эрбием, с использованием уникального оптического процесса компоновки в сочетании с надежной конструкцией защиты от мощных лазеров. , для достижения высокой мощности лазерного излучения в диапазоне длин волн 1540 ~ 1565 нм. Обладая высокой мощностью и низким уровнем шума, его можно использовать в оптоволоконной связи, лидарах и т. д.

Лазерный диод-бабочка DFB с узкой шириной линии 1550 нм, 50 мВт, 100 кГц основан на уникальном одиночном чипе DFB, использует уникальную конструкцию чипа, передовую технологию упаковки, имеет низкую ширину линии и относительную интенсивность шума, а также низкую чувствительность к длине волны и рабочему току. Устройство использует стандартный 14-контактный корпус «бабочка» с высокой выходной мощностью, высокой стабильностью и высокой надежностью.