TO5 InGaAs фотодиод Производители

Наша фабрика производит волоконные лазерные модули, сверхбыстрые лазерные модули, диодные лазеры высокой мощности. Наша компания использует зарубежные технологические процессы, имеет передовое производственное и испытательное оборудование, в пакете сопряжения устройств конструкция модуля имеет передовые технологии и преимущество в контроле затрат, а также идеальная система обеспечения качества, может гарантировать высокую производительность для клиента. , Оптоэлектронная продукция надежного качества.

Горячие продукты

  • 10 мВт 20 мВт LAN WDM DFB Лазерный диод

    10 мВт 20 мВт LAN WDM DFB Лазерный диод

    Лазерный диод LAN WDM DFB мощностью 10 мВт и 20 мВт состоит из четырех длин волн: 1273,55 нм, 1277,89 нм, 1282,26 нм, 1286,66 нм, 1291,10 нм, 1295,56 нм, 1300,05 нм, 1304,58 нм, 1309,1 4 нм. Длина волны термостабилизирована. Лазерные диоды выполнены в герметичном 14-выводном корпусе типа «бабочка», который содержит ТЭП, термистор, мониторный ФД и оптический изолятор. У нас также есть полный выбор выходной мощности, типов пакетов и волокон SM, PM и других специальных волокон. Этот модуль соответствует требованиям Telcordia GR-468-CORE и директивам RoHS.
  • Многочастотное волокно передачи энергии

    Многочастотное волокно передачи энергии

    Многочастотное волокно передачи энергии специально разработано и предназначено для вывода световых пятен в форме точки кольца, предоставляя решения для вывода различных энергетических форм волоконных лазеров.
  • лазерный диод бабочки 1683нм 10мВ ДФБ для зондирования газа этана К2Х6

    лазерный диод бабочки 1683нм 10мВ ДФБ для зондирования газа этана К2Х6

    Лазерный диод-бабочка DFB 1683 нм, 10 мВт для обнаружения газа этана C2H6 был разработан специально для удовлетворения требований применения датчика. Устройства отличаются высокой выходной мощностью и широким диапазоном рабочих температур. Их 14-контактные корпуса-бабочки совместимы по выводам со стандартными устройствами SONET OC-48.
  • Полупроводниковый оптический усилитель SOA 1310 нм 10 дБм SM Butterfly

    Полупроводниковый оптический усилитель SOA 1310 нм 10 дБм SM Butterfly

    Полупроводниковый оптический усилитель SOA SM Butterfly с длиной волны 1310 нм, 10 дБм разработан с использованием высококачественного углового чипа SOA и TEC, который может обеспечить стабильное усиление на выходе для большого динамического входного сигнала. Устройства доступны в стандартном 14-контактном корпусе типа «бабочка» на диапазонах 1310 нм и 1550 нм. Устройства SOA имеют высокий оптический коэффициент усиления, высокую выходную мощность насыщения, низкие потери, зависящие от поляризации, низкий коэффициент шума и широкий диапазон длин волн. У нас есть варианты оптических изоляторов для входной и/или выходной стороны, а также выходные волокна SM-волокон, PM-волокон и других специальных волокон по спецификациям заказчика. Продукты сертифицированы Telcordia GR-468 и соответствуют требованиям RoHS.
  • Лазерный диод DFB Butterfly 1576 нм, 10 мВт

    Лазерный диод DFB Butterfly 1576 нм, 10 мВт

    Серия лазерных диодов DFB Butterfly с длиной волны 1576 нм и мощностью 10 мВт обеспечивает выходную мощность в непрерывном режиме около 10 мВт или 20 мВт. Заказчик может заказать любой диапазон длин волн в МСЭ. Он широко используется в дистанционном зондировании, связи, спектральном анализе, обнаружении газов и т. Д.
  • Лазерный чип LD COS, 940 нм, 12 Вт, на подставке

    Лазерный чип LD COS, 940 нм, 12 Вт, на подставке

    Лазерный чип LD COS 940 нм, 12 Вт на подкреплении, выходная мощность 12 Вт, высокая эффективность, длительный срок службы, широко используется в промышленных насосах, исследованиях и разработках, лазерном освещении, медицине и других областях.

Отправить запрос